高温退火炉

FORTA 系列 HBA 200/150

FORTA 系列 HBA 200/150

高温退火炉

本产品主要应用于6/8英寸集成电路及化合物半导体领域的高温退火工艺,是一款单腔室高温热处理设备。设备具备较高的升温速率、良好的温度控制能力及自动化水平,可满足高温退火工艺对温度均匀性、洁净度及工艺稳定性的要求。系统主要由石墨腔室、自动传输系统、气体分配系统、尾气处理系统及高精度温度控制系统组成,可实现Ar、H₂等气氛下的高温退火工艺,为功率器件及化合物半导体制造提供稳定可靠的热处理解决方案。  
晶圆尺寸
6英寸 / 8英寸
适用材料
SI / SIC
适用工艺
惰性气体退火、合金化

系统概述

本产品主要应用于6/8英寸集成电路及化合物半导体领域的高温退火工艺,是一款单腔室高温热处理设备。设备具备较高的升温速率、良好的温度控制能力及自动化水平,可满足高温退火工艺对温度均匀性、洁净度及工艺稳定性的要求。系统主要由石墨腔室、自动传输系统、气体分配系统、尾气处理系统及高精度温度控制系统组成,可实现Ar、H₂等气氛下的高温退火工艺,为功率器件及化合物半导体制造提供稳定可靠的热处理解决方案。  

产品特色

① 高精度温度控制技术: 采用先进的温度控制方案及优化的热场设计,实现高温工艺过程的精准控制与良好稳定性,满足复杂退火工艺需求。

② 先进的颗粒控制技术: 通过优化腔体结构及工艺环境控制,有效降低工艺过程中的颗粒污染风险,提升产品良率及工艺一致性。

③ 微环境氧含量精准控制: 具备先进的微环境氧含量控制能力,有效控制高温退火过程中的氧环境,为对工艺洁净度要求较高的应用提供保障。

④ 高自动化与稳定运行: 配备自动化传输及控制系统,实现晶圆传输、工艺执行及设备状态监控的自动化,提高生产效率及设备运行稳定性。

⑤ 高温工艺兼容能力: 支持Ar、H₂等不同工艺气氛下的高温退火,可满足不同材料及器件制造过程中的热处理需求。

产品特色

高精度温度控制技术

采用先进的温度控制方案及优化的热场设计,实现高温工艺过程的精准控制与良好稳定性,满足复杂退火工艺需求。

先进的颗粒控制技术

通过优化腔体结构及工艺环境控制,有效降低工艺过程中的颗粒污染风险,提升产品良率及工艺一致性。

微环境氧含量精准控制

具备先进的微环境氧含量控制能力,有效控制高温退火过程中的氧环境,为对工艺洁净度要求较高的应用提供保障。

高自动化与稳定运行

配备自动化传输及控制系统,实现晶圆传输、工艺执行及设备状态监控的自动化,提高生产效率及设备运行稳定性。

高温工艺兼容能力

支持Ar、H₂等不同工艺气氛下的高温退火,可满足不同材料及器件制造过程中的热处理需求。

适用领域

集成电路(离子注入退火)
化合物半导体功率器件(SiC MOSFET/SBD等)
功率器件半导体(IGBT/MOSFET)
先进封装(合金化)
科研

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