高温栅氧炉

FORTA 系列 HBO 200/150

FORTA 系列 HBO 200/150

高温栅氧炉

本产品主要应用于6/8英寸集成电路及化合物半导体领域的高温氧化及氧化后退火工艺,是一款单腔室高温热处理设备。设备具备较高的升温速率、良好的工艺稳定性及自动化水平,可满足高温工艺对温度控制及洁净度的要求。系统主要由碳化硅腔室、自动传输系统、气体分配系统、尾气处理系统及高精度温度控制系统组成,可实现氧化后退火等工艺,对于改善栅氧质量、提升器件性能具有良好的应用价值。
晶圆尺寸
6英寸 / 8英寸
适用材料
Si / SiC
适用工艺
高温干氧(栅氧)/湿氧

系统概述

本产品主要应用于6/8英寸集成电路及化合物半导体领域的高温氧化及氧化后退火工艺,是一款单腔室高温热处理设备。设备具备较高的升温速率、良好的工艺稳定性及自动化水平,可满足高温工艺对温度控制及洁净度的要求。系统主要由碳化硅腔室、自动传输系统、气体分配系统、尾气处理系统及高精度温度控制系统组成,可实现氧化后退火等工艺,对于改善栅氧质量、提升器件性能具有良好的应用价值。

产品特色

① 卓越的工艺稳定性: 采用稳定可靠的热场及温度控制方案,实现高温工艺过程的精准控制与良好重复性,保障产品工艺一致性。
② 高纯碳化硅腔室设计: 采用可靠的碳化硅腔室及相关部件,有效降低高温工艺过程中的金属污染风险,满足半导体制造对洁净度的严格要求。
③ 快速升温能力: 具备较高的升温速率,可有效缩短工艺周期,提高设备运行效率,满足高温氧化及退火工艺需求。
④ 高自动化水平: 配备自动化传输及控制系统,实现晶圆传输、工艺执行及设备状态监测的自动化运行,提高生产效率与设备运行稳定性。
⑤ 稳定可靠的系统设计: 核心系统经过优化设计,具备良好的长期运行稳定性及可靠性,可适应半导体制造过程中的连续生产需求。

产品特色

卓越的工艺稳定性

采用稳定可靠的热场及温度控制方案,实现高温工艺过程的精准控制与良好重复性,保障产品工艺一致性。

高纯碳化硅腔室设计

采用可靠的碳化硅腔室及相关部件,有效降低高温工艺过程中的金属污染风险,满足半导体制造对洁净度的严格要求。

快速升温能力

具备较高的升温速率,可有效缩短工艺周期,提高设备运行效率,满足高温氧化及退火工艺需求。

高自动化水平

配备自动化传输及控制系统,实现晶圆传输、工艺执行及设备状态监测的自动化运行,提高生产效率与设备运行稳定性。

稳定可靠的系统设计

核心系统经过优化设计,具备良好的长期运行稳定性及可靠性,可适应半导体制造过程中的连续生产需求。

适用领域

集成电路(栅氧/场氧)
化合物半导体功率器件(SiC MOSFET/SBD等)
功率器件(IGBT/MOSFET)
化合物半导体(SiC栅氧)
MEMS
科研

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