SIC EPI

CRESTA EPI 200

SIC EPI

本产品是专为6/8英寸碳化硅功率器件及化合物半导体领域设计的垂直型热壁CVD外延设备。该设备采用垂直进气与高速旋转基座设计，具备优异的膜厚与掺杂均匀性、高生长速率及低缺陷密度等特点。系统主要由垂直热壁反应腔室、高真空传输系统、层流气体分配系统、高温尾气处理系统及高精度温度控制系统组成，是制备SiC高压器件外延层的理想量产平台。

晶圆尺寸

6英寸 / 8英寸 (兼容)

适用材料

碳化硅 (4H-SiC）

适用工艺

SiC同质外延生长（N型/P型掺杂）、高速厚膜外延、多台阶缓冲层结构外延

系统概述

产品特色

卓越的均匀性与缺陷控制：垂直层流进气结合高速旋转托盘，确保晶圆表面流场与温场均匀，膜厚均匀性≤1.5%，掺杂浓度均匀性≤1.5%，并能有效抑制三角形缺陷、掉落物等致命缺陷。
高产能设计：支持多片6/8英寸晶圆同步外延，反应腔体经流场与温场优化，可实现50μm/h以上的高生长速率，满足SBD、MOSFET厚膜外延的大批量生产需求。
原位刻蚀与多工艺组合：集成原位HCl/H₂清洗与腔体刻蚀功能，可大幅减少颗粒物，延长设备维护周期，支持缓冲层/漂移层的不间断连续生长。
维护便捷性高：采用开合式炉体与模块化基座设计，反应腔内件及石墨热场部件可快速更换，显著缩短PM与复机时间，降低长期使用成本。
高精度温度控制：配备多区加热与多波长光学测温系统，实时精确控制并调节外延生长温度，确保高纯半绝缘及n/p型掺杂工艺的精确重复性